据国外媒体报道,韩国媒体在本周早些时候的报道中称,三星电子在美国新建芯片工厂的计划,预计会在本月底宣布。

而从韩国媒体最新的报道来看,三星电子考虑在美国新建的芯片工厂,已决定建在得克萨斯州的奥斯汀,建设的还将是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂。

同此前韩国媒体在报道中提到的一样,三星电子决定在得克萨斯州建设的这一座工厂,将在今年三季度动工,2024 年投入运营。

在新建工厂的投资方面,外媒称三星电子计划投资 20 万亿韩元,也就是约 180 亿美元,同此前提及的 170 亿美元略有增加。

虽然三星电子在奥斯汀新建工厂的计划还未宣布,但外媒在报道中表示,他们已在为建厂做准备,已经向奥斯汀派出了负责建厂及公共设施的人员。

在此前的报道中,外媒也曾提到,三星电子在美国新建的芯片工厂,在建成之后将采用 5nm 工艺为相关的客户代工芯片,最新报道的是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂,基本也就印证了之前的报道,极紫外光刻机正式目前 5nm 制程工艺所需要的。

三星电子将在美国建设的芯片工厂,若真是采用极紫外光刻机(EUV)代工芯片的半导体工厂,就将是他们首次在韩国之外建设 EUV 半导体工厂,同时也是他们首次在韩国之外建设 5nm 制程工艺芯片代工厂。

三星电子目前在奥斯汀也有一座芯片代工厂,当前主要是采用 14nm 制程工艺为相关的客户代工芯片。